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CASES 新聞動態

你們知道二極管有什么特性嗎?

正向性


外加正向電壓時,在正向特性的起始部分同城彩票平台注册,正向電壓很小同城彩票平台注册,不足以克服PN結內電場的阻擋作用同城彩票平台注册,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大于死區電壓以后,PN結內電場被克服,二極管正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內,導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。當二極管兩端的正向電壓超過一定數值,內電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極管正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V,鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V同城彩票平台注册。

反向性

外加反向電壓不超過一定范圍時同城彩票平台注册,通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小同城彩票平台注册同城彩票平台注册,二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流,二極管的反向飽和電流受溫度影響很大同城彩票平台注册。一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級,小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時,半導體受熱激發,少數載流子數目增加,反向飽和電流也隨之增加同城彩票平台注册。

擊穿

外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓同城彩票平台注册同城彩票平台注册。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向導電性不一定會被永久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復同城彩票平台注册,否則二極管就損壞了同城彩票平台注册。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。

二極管是一種具有單向導電的二端器件,有電子二極管和晶體二極管之分,電子二極管因為燈絲的熱損耗同城彩票平台注册,效率比晶體二極管低,所以現已很少見到,比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性,幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導體二極管同城彩票平台注册,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導體器件之一同城彩票平台注册,其應用也非常廣泛。

二極管的管壓降:硅二極管(不發光類型)正向管壓降0.7V同城彩票平台注册,鍺管正向管壓降為0.3V,發光二極管正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。主要有三種顏色同城彩票平台注册,具體壓降參考值如下:紅色發光二極管的壓降為2.0--2.2V,黃色發光二極管的壓降為1.8—2.0V,綠色發光二極管的壓降為3.0—3.2V,正常發光時的額定電流約為20mA。

二極管的電壓與電流不是線性關系同城彩票平台注册,所以在將不同的二極管并聯的時候要接相適應的電阻。

特性曲線

與PN結一樣,二極管具有單向導電性。硅二極管典型伏安特性曲線(圖)。在二極管加有正向電壓同城彩票平台注册,當電壓值較小時同城彩票平台注册,電流極??;當電壓超過0.6V時,電流開始按指數規律增大,通常稱此為二極管的開啟電壓;當電壓達到約0.7V時,二極管處于完全導通狀態,通常稱此電壓為二極管的導通電壓,用符號UD表示同城彩票平台注册。

對于鍺二極管,開啟電壓為0.2V,導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓,當電壓值較小時,電流極小同城彩票平台注册,其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時,電流開始急劇增大,稱之為反向擊穿同城彩票平台注册,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號UBR表示同城彩票平台注册。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏。

反向擊穿

齊納擊穿

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區內共價鍵結構,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子-空穴對同城彩票平台注册,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿同城彩票平台注册。如果摻雜濃度較低,勢壘區寬度較寬,不容易產生齊納擊穿。

雪崩擊穿

另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時,外加電場使電子漂移速度加快同城彩票平台注册,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵同城彩票平台注册,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結永久性損壞。

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